配资专业在线炒股配资 上海华虹宏力申请半导体器件形成方法专利，节省了形成N阱和N型漏极轻掺杂两道工艺的光罩
发布日期：2025-02-07 21:37 点击次数：110
金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示配资专业在线炒股配资，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN 119384033 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；执行第一有源区的P阱离子注入；在第一有源区的衬底上形成第一栅极层；在第二有源区的衬底上形成第二栅极层；执行无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入；同一光罩下执行第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺杂离子注入。在低成本、高性价比平台加工，将N阱离子注入与P型漏极轻掺杂离子注入共用同一光罩；在栅极层刻蚀之后，保留栅极层刻蚀后的光阻层情况下进行无掩模N型漏极轻掺杂离子注入，避免栅极层被N型轻参杂离子注入打穿。节省了形成N阱和N型漏极轻掺杂这两道工艺的光罩。保留两道LDD离子注入工艺下，保证NMOS管的热载流子效应性能，降低了衬底漏电流，通过可靠性测试。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币，实缴资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目840次，知识产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可428个。
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发布于：北京市